在半导体平面工艺中，器件的许多性能指标主要由扩散工艺决定，扩散层的结深和杂质分布情况直接决定器件的频率、放大、击穿等电参数。因而研究半导体的扩散杂质分布和控制方法对改进器件特性是十分有益的。但在单片光电集成器件的制作中，如采用常规热扩散工艺，很难解决光电器件工艺的兼容性这一难题。与常规扩散工艺相比，激光诱导扩散技术具有独特的优越性[1]，可以对处理区域高精度定域，使高温区域局限于处理区。当进行扩散处理时，该技术可使扩散高温区域限制在制作光器件的微小空间范围内，其余区域都维持在近室温状态，也就不会对同一基片上已做成的集成电路在性能方面产生负面影响，从而有效地解决单片OEICs中光、电两部分难以兼容这一瓶颈问题。为此我们对InP中的激光诱导Zn扩散开展了研究。
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