基于广大科研界对实现大面积单层石墨烯薄膜在工业铜箔基底上卷对卷宏量制备的需求,我公司开发出一种新的卷对卷连续快速生长石墨烯薄膜的方法，设计并研制了可达到中试水平的石墨烯卷对卷化学气相沉积系统，通过对石墨烯成核与生长的调控实现高品质石墨烯薄膜生长；此款设备是快速冷却卷对卷等离子体增强CVD连续生长炉，它由高温生长腔体，三路质量流量计气路系统，真空机组，RF射频电源模块，石英管，冷却装置，收放铜箔的密封装置，自动化控制系统组成，两端分别安装有进料进气真空腔室和出料排气真空腔室（即收放铜箔的密封装置），收放铜箔的密封装置内分别对应安装有放卷滚轮和收卷滚轮，所输出料排气腔体与炉体之间安装有冷却装置。相对于现有技术具有快速冷却、连续生长的优点，可以进行大面积、高质量石墨烯的规模化生长。



额定功率

KW

7
额定电压

V

AC 208-240V 50/60 Hz
最高温度

℃

1200
持续工作温度

℃

≤1100℃
推荐升温速率

℃/min

≤30℃/min
炉管尺寸

mm

高纯石英管Φ80×1820mm（可使用基底铜箔宽度≤60mm）（其他尺寸可定制）
加热区长度

mm

300+300+300
恒温区长度

mm

600
控温方式

人机界面加PLC控制，10寸液晶屏控制，数字工控仪表双控，采用工业智能控温仪表和软件实现双控，采用模糊型PID控制。
无纸记录

1、内置存储记录运行工艺数据，外接USB接口，可以电脑连接一键拷贝数据。
2、系统采用自动化工艺流程，设定好工艺一键操作。降低人为因素，工艺可靠性可以达到99.9%。
控温精度

℃

±1
加热元件

进口电阻丝
真空进料腔

进料进气真空腔室与出料排气腔体外壳以亚克力为主要材料，电机带动铜箔在密闭生长条件下运动，并通过冷却装置后收紧成卷。
气路系统配制

内部装有高精度质量流量计可准确的控制气体流量；设有静态混气室，有助于气体充分混合，按要求配比。
射频电源配制

RF射频电源等离子辅助模块，大大降低了石墨烯的生长温度，是铜箔的机械强度适合连续收放
真空系统配制

真空机组内含真空泵，数字真空计以及相关的连接调节阀，可提供一个可控的低压环境。
认证标准

CE
尺寸（长X宽X高）

mm

3520*1100*1500
净重

Kg

约600


产品名称：三温区卷对卷连续石墨烯薄膜生长设备
产品手机链接：http://m.vooec.com/product_195241298.html
产品网站链接：http://www.vooec.com/cpshow_195241298/