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按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW、2CW56等；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。稳压二极管的温度系数α：α表示温度每变化1℃稳压值的变化量。稳定电压小于4V的管子具有负温度系数（属于齐纳击穿），即温度升高时稳定电压值下降（温度使价电子上升较高能量）；稳定电压大于7V的管子具有正温度系数（属于雪崩式击穿），即温度升高时稳定电压值上升（温度使原子振幅加大，阻碍载流子运动）；而稳定电压在4~7V之间的管子，温度系数非常小，近似为零（齐纳击穿和雪崩击穿均有）。这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。
PIN中的I是"本征"意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，"本征"区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间。
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因此大功率碳化硅二极管成为现代电力电子领域非常重要的整流器件。得益于其具有极小的反向漏电流和高载流子迁移率，碳化硅二极管在光电探测领域有着巨大的吸引力。小的漏电流可以减少探测器的暗电流，降低噪音；高载流子迁移率可以有效提高碳化硅PIN探测器的灵敏度；碳化硅二极管的大功率特性，使PIN探测器可以探测更强的光源，广泛应用在太空领域中。大功率碳化硅二极管因其优异的特性，一直得到人们的重视，其研究也得到了长足的发展。碳化硅(SiC)二极管已经进入迅速扩张的太阳能逆变器市场，尤其是在欧洲。Cree的1200VSiC肖特基二极管已开始用来取代DC链升压电路所使用的硅(Si)PiN类设计，而且将很快出现在商用系统的逆变器领域。



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