IR芯片全新回收V-181-24-70-15-58 随着采用传统2D平面制程技术的NAND Flash即将NAND Flash大厂纷纷开始采用3D堆叠制程技术来增加密度。旺宏（Macronix）在2006年提出Multi TFT（Thin Film Transistor）的堆叠NAND设计概念，同年Samsung也发表Stacked NAND堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表BiCS，2009年东芝发表P-BiCS、三星发表TCAT、VG-NAND与VSAT，2010年旺宏发表VG TFT，2011发表PNVG TFT，同年Hynix也发表Hybrid 3D技术。2010年VLSI研讨会，旺宏公布以75纳米制程，TFT BE-SONOS制程技术装置的VG（垂直闸） 3D NAND技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。
　　三星（Samsung）同样于2006年发表Stacked NAND，2009年进一步发表垂直通道TCAT与水平通道的VG-NAND、VSAT。2013年8月，三星发布名为V-NAND的3D NAND Flash芯片，采用基于3D CTF（Charge Trap Flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 Gb的容量，比目前20nm平面NAND Flash多两倍，可靠性、写入速度也比20nm制程NAND Flash还高。三星目前在3D-NAND Flash应用进度其他业者，V-NAND制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其V-NAND目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年第四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料中心制造商进行测试。
　　东芝（Toshiba）以2009年开发的BiCS—3D NAND Flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z纳米技术的Flash产品。为了后续3D NAND Flash的量产铺路，东芝与新帝（SanDisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年Q3完工，Q3顺利进入规模化生产。而SK海力士与美光（Micron）、英特尔（Intel）阵营，也明确宣告各自3D NAND Flash的蓝图将接棒16纳米，计划于2014年Q2送样测试，快于年底量产。
　　由于3D NAND Flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2D平面NAND Flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3D NAND Flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。
　　移动设备的快闪存储器容量、速率进展
　　移动设备所需要的GB储存容量，据估计每部手机搭配的NAND Flash容量，将从2012年5.5GB增加到2015年的25.1GB；每部平板电脑搭配NAND Flash容量，从28.7GB增加到2015年的96.1GB。
　　eMMC（embedded MultiMedia Card）是JEDEC协的储存媒体规范，其藉由将MMC Controller跟NAND Flash封装成一颗芯片的方式，移动设备无须顾虑着NAND Flash制程与规格的改变，与新世代NAND Flash搭配的快闪存储器控制芯片与韧体的搭配，进而简化体积与电路设计。2013年有4.5亿部移动设备均使用eMMC。
　　而Universal Flash Storage（UFS）将以往eMMC安、低功耗、小尺寸封装的应用，融合目前SSD所使用到的高速串列介面技术，目前UFS 1.1规格传输速率达到3Gbps，未来UFS 2.0将可进一步达到6Gbps。因UFS跟既有的eMMC介面迥然不同也无法相容，相关产业供应链尚未齐，整个产业生态尚未建立，UFS产品预估2014年才有小量产品出现在市面上，且因成本因素会瞄准在市场，UFS与eMMC两者届时会并存在市场上一阵子。

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