深圳市宏德伟创科技有限公司(美国泰德授权代理可看证）
（原厂原装，美国设计，原厂技术支持，质量保证）
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TDM3412 
Asy.DN沟道 30V 上管17.5mΩ@4.5V 下管16mΩ@4.5V
TDM3412
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss） -30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时） 18A(Tc)
栅源极阈值电压 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻 10.8mΩ @ 10A,10V
DA功率耗散（Ta=25°C） 20W(Tc)
类型 双N沟道(半桥)

DESCRIPTION
The TDM3412 uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in    PWM
applications.
GENERAL FEATURES
 Channel 1
RDS(ON) < 17.5m&#8486;&#160;@ VGS=4.5V&#160; &#160;
&#61548;&#160;RDS(ON) < 10.8m&#8486;&#160;@ VGS=10V
&#61548;&#160;Channel 2
RDS(ON) < 16m&#8486;&#160;@ VGS=4.5V&#160; &#160;
RDS(ON) < 10m&#8486;&#160;@ VGS=10V
&#61548;&#160;High Power and current handling capability
&#61548;&#160;ESD protection
&#61548;&#160;Lead free product is available
&#61548;&#160;Surface Mount Package
Application
&#61548;&#160;PWM applications
&#61548;&#160;Load switch
&#61548;&#160;Power management


主营美国泰德降压IC，DC-DC系列，以及MOS场效应管系列.

泰德/授权代理商

32位MCU代理商

中科芯/航&#160;顺

产品名称：TDM3412 DN沟道 30V MOS
产品手机链接：http://m.vooec.com/product_224204813.html
产品网站链接：http://www.vooec.com/cpshow_224204813/