PECVD系统
该系统为间接PECVD系统,它包括真空管式炉,石英真空室、真空抽气与真空测量系统、气路系统、射频电源系统、匹配器,物料喷射系统。电源范围宽,0-500W可调。 温度范围宽:100-1200度可调,溅射区域宽:0-800mm可调。适用范围宽:金属薄膜,陶瓷薄膜等,复合薄膜,连续生长各种薄膜等。增加功能容易。
主要特点:
薄膜沉积速率高:采用了甚高频技术,大大的提高了薄膜的沉积速率,沉积速率可达10Å/S;
大面积均匀性高:采用了先进的多点射频馈入技术,特殊气路分布和加热技术等,使得薄膜均匀性指标达到8%;
一致性高:用半导体行业的先进设计理念,使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%;
工艺稳定性高:高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定;
选配物料喷射系统,可将原料直接喷射到反应区。
真空管式炉 炉管尺寸: 外径Φ50、60、80、100×1000mm
极限温度: 1200 ℃
温度控制器: PID自动控制 晶闸管(可控硅)输出功率, 30段可编程控制器
最快升降温速率: 20 ℃
加热区: 400mm
恒温区: 200mm
温度精度: ±1 ℃
电源: 单相220V,交流50Hz
多通道流量计控制系统 标准量程: 100,200 ,500,1000SCCM; (以氮气标定,除以上标准外量程可选)
准确度: ±1.5%
工作压差范围: 0.1~0.5 MPa
最大压力: 3MPa
接头类型: Φ6双卡套不锈钢接头
高真空系统
泵体积流量N2: 33 L/S
压缩比: ≥1011mbar
实验真空值: 10-5mbar
功率消耗: 140W
启动时间: 2min
电源要求: 185-265VAC
射频电源 信号频率: 13.56MHz±0.005%W
功率输出范围: 0-500W
最大反射功率: 100W
产品名称:PECVD系统
产品手机链接:http://m.vooec.com/product_4425527.html
产品网站链接:http://www.vooec.com/cpshow_4425527/