一、 主要技术参数：
１． 最高温度：1450℃（仪表显示温度）。
２． 常用作温度1350℃。（以进口测温块测定为准）。
３． 控温精度：±1℃。（以仪表显示为准）。
４． 恒温区炉膛截面均匀度：±5℃（以进口测温砖测定为准）。
５． 炉膛尺寸：8400×700×210（L×W×H）mm。
６． 外形尺寸：11700×2800×1800（L×W×H）mm。
７． 窑炉全长：11.7m＝( 炉体8.4m+推进器2.3m+出车器１m )。
８． 供电电源：380/220V±10% 50Hz，供电能力大于200kVA。
９． 炉体表面温升：≤45℃。
１０． 最大加热功率160kW，保温功率约80kW。
１１． 推进速度：300－1500mm/h, 常用速度900mm/h（667mm/h）。主
推 进部分设有慢进、快进、手动、自动等功能。
二、 工艺要求
１． 在升温段，250℃、400℃、600℃各设一个烟囱，用于排水、排胶。并在相对应的烟道处开自然进气口，在第３、４、５、６组导入压缩空气，并设置4个流量计，可调节流量范围0.25~2.5m3/h。
２． 在降温段７５０℃以后设二个烟囱。在对应的烟囱道开进气口，导入压缩空气，设置一个流量计，可调节流量范围0.25~2.5m3/h。
３． 在降温段出口段加800mm水套用于降温急冷，以提高产品性能。
三、 电气部分
1、 全炉共分七个温区，共十一个控温点，五个测温点。第一、二、三温区为单点控温，第四~七温区为上、下控温，第四~七温区各设一个测温点。窑尾设一个测温点。
2、 控温采用工业控制机。
3、 控温方式：采用晶闸管控制输出功率，可设定功率输出上限。
4、 加热元件：Ф30等直径硅碳棒。
5、 硅碳棒采用隔离干式调压变压器供电，隔离变压器为次级四抽头，手动换档，新硅碳棒在次低电压档保证全功率、全负载上升到设定温度，变压器安装在回转轨道下。
6、 热电偶分布：第1、2、温区及窑尾采用K分度热电偶，第3~7温区采用S分度热电偶。
7、 控制柜面板上设有总电压表，换相开关，电源空气开关。超温时产生声光报警。
8、 控制柜内散热采用换气扇，在控制柜底侧下部采用百叶窗式进气通道，柜内设有照明装置。
四、 传动部分
1、 主推进及回转部分采用液压推进。
2、 主推进速度300～1500mm/h，主推进部分设有快进、慢进、快退、及手动、自动功能。
3、 传动系统设置有超程、超载、超时等声光报警装置。主要行程开关选用日本OMRON公司产品。
4、 回转部分自动送板、自动出板、自动上板。
5、 主推进及炉体外循环系统采用PC机可编程序控制器控制动作及保护，设置模拟显示板，显示主推进及回转部分的状态，设有超程、超载等声光报警。

功能： 对片式陶瓷电容器芯片进行高温烧结，使芯片介质材料成为结实
的陶瓷体，保证电容器的电气参数稳定。
应用领域：叠层片式陶瓷电容器生产制造行业。

产品名称：BHSJ-061C型双推烧结炉
产品手机链接：http://m.vooec.com/trade_40696085.html
产品网站链接：http://www.vooec.com/sjshow_40696085/