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产品功能介绍：
功率MOSEFT—5N60 4.5A，600V N沟道
5N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快
的开关速度，极低栅电荷，最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源，
DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。
1、特征
· 4.5A，600V， RDS(on)=2.4Ω@Vgs=10V；
· 极低栅电荷，典型15nC；
·极低反向转换电容；典型6.5pF
· 快速开关能力；
· 增强的dV/di能力；
· 100%雪崩击穿测试；
· 封装型式：TO-220/220F
· 最大结温 150 ℃
应用领域:
节能灯、充电器、开关电源、LCD显示器、电子镇流器

优势产品有SSF2N60、SSF5N60、SSF8N60、SSF10N60 SSF12N60、SPP20N60C3、CR6224T、CR6224S、CR6228T、CR6229T、CR6235S、CR6236T、CR6238T、CR6850S、CR6850T、PR9853T、PR9853S、PR8275、MBR10100、MBR10200、MBR10150、MBR20100、MBR20150、MBR20200、MBR30100、MBR30150、MBR30200.等。
优势品牌：SOURCESEMI韩国索森美MHCHXM海矽美美国IPS CR/西安民展微FAIRCHILD IR ST TRUESEMI FAIRCARD POWER-RAIL PANJIT MOSPEC LT YS等
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产品名称：常用mos管型号MOS管驱动电路MOS管5N60
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