大功率半导体元件测试系统，大功率晶闸管测试仪，大功率IGBT测试仪，大功率整流模块测试仪，电子元器件检测仪
IST8900 半导体分立器件全系列、全功率、全参数测试系统
　　一， 概述：
　　本机在启动测试后会从被测件的功能及极性开始检测，若器件损坏或接脚错误则立即停止测试并显示错误信息，若通过功能检测，器件的种类及极性即可显示，同时微控制器会将使用者输入的各测试条件由D/A送至各相对应的电流源或电压源，同时控制各继电器的连接，使此参数的测试电路自动形成，每一个参数依器件的极性都须要一个不同的电路来测量这极为繁杂的变化完全由微控制器自动完成，所要量测的电流或电压可在极短的时间(80微秒)由A/D一次或数次测试取得。
　　二， 导通参数的测量对MOSFET及IGBT在大电流高功率使用时的重要性
　　大功率器件由于其通过的电流很大，在一些导通参数上若有少许的异常，轻者会降低产品的功效及性能，重者器件会发热，缩短寿命而损毁，
　　
　　此外MOSFET的gfs(放大倍率)及Vgs(on)栅极的触发电压，同样IGBT的gfs及Vge(on)等参数对产品所能发挥的功效也是非常重要的，当器件在开关状态时其能承受电压(如BVdss)及所产生的漏电流(Idss)等对器件的寿命亦十分重要的，也是必须量测的参数，
　　总之，要控制产品的质量，必须从器件参数测量侧上把关，尤其要对一些大功率或易损的器件，先由专业工程师给出最重要的必测参数并将其工作条件及正常标准参数值逐一输入，只须输入一次即可储存在机内由输入程序号即可启动多种参数的全自动测试
　　三， 开关的时间参数对MOSFET及IGBT的重要性
　　MOSFET及IGBT均是以栅极(GATE)上的电压来驱动的器件，又因其场效应感应的构造此栅极上均有一定的电容存在，此电容的大小会影响其开(Ton)或关(Toff)的时间参数，
　　
大功率半导体元件在应用上常见的几个问题:
1. 什么是大功率半导体元件？其用途为何？

凡是半导体元件如双接合型电晶体(B.TRANSISTOR)、金属氧化场效电晶体(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC、SCR、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。
2. 何谓半导体元件的参数？对元件使用上有何重要性？

中大功率的元件仅在功能上的完好是绝对不够的，因其必须承受规格上指定的最大电压与电流，在某条件下，最大承受度的数据便称为此元件的参数。若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会立刻烧毁或造成永久性的损坏。
3. 大功率半导体器件为何有老化的问题？
功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及破坏性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。
4. 为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？
当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。
5. 如何检测元件有老化的现象？
半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。
6. 欲测知元件老化，所须提供的测量范围为何？
当大功率元件在作导通参数的测试时，电流必须大到其所能承受的正常工作值，同时，在作关闭参数的漏电流测试时，电压也必须够高，以模拟元件在真正工作状态下的电流与电压，如此其老化的程度才可显现。当这两个参数通过后，便表示元件基本上良好，再进一步作其他参数的测量，以分辨其中的优劣。
大功率MOSFET测试系统，大功率SCR测试仪，大功率GATE测试仪，大功率GTO测试仪，大功率TRIAC测试仪

产品名称：大功率半导体元件测试系统 IGBT测试仪 GTO测试仪
产品手机链接：http://m.vooec.com/trade_9097265.html
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